特許
J-GLOBAL ID：200903083521333802

レジストパターン形成方法

発明者：
岩下 淳

岩下 淳 について

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松丸 省吾

松丸 省吾 について

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安藤 友之

安藤 友之 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-133151
公開番号（公開出願番号）：特開2009-282224
出願日： 2008年05月21日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、フリージング材を用いることなく第二のレジスト組成物によりパターニングした場合でも、第一のレジストパターンの形状を良好に保持したまま微細なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】第一のレジスト組成物を用いて形成された第一のレジスト膜から第一のレジストパターンが形成された支持体上に、ネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成した後、選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する方法において、前記ネガ型レジスト組成物は、酸解離定数(pKa)が-3.5〜0の酸を露光により発生する酸発生剤(B2-1)を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持体上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、 前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、 前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、 前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターン形成方法において、 前記ネガ型レジスト組成物は、酸解離定数(pKa)が-3.5〜0の酸を露光により発生する酸発生剤(B2-1)を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502C
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096DA10 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  5F046AA13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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