特許

J-GLOBAL ID：200903083535237938

半導体製造装置

発明者： 山下 雄士
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228883
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045861
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、排気系に設けた排気トラップのフィルタ交換時にも装置の停止を不要とする排気系構造を有した半導体製造装置を提供することである。【解決手段】 本発明の縦型減圧CVD装置101では、反応管6に2系統の排気系102a,102bが並列に配設されており、この2系統には、反応管6に対して上流側から開閉バルブ103a,103b、水冷の排気トラップ104a,104b、2系統の開閉を切換える切換えバルブ105、真空ポンプ106がこの順に配置され、反応管6から伸びた2系統は切換えバルブ105で合流するように排気用配管107で接続されている。排気トラップ104a,104bは前後の排気用配管との接続及び切離しが容易にできるように両側にカプラ108a,108b,108c,108dを有した構造としておく。

請求項（抜粋）：

反応管内に半導体ウェーハを載置し、反応ガスを供給し、半導体ウェーハの処理を行い、処理後の排気ガスを反応管に接続した排気系を通して排気する半導体製造装置において、反応管に排気系を並列に2系統配設し、一方が開状態のとき他方が閉状態となるように交互に切換え可能としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 603 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 603 Z ,  H01L 21/302 B

Fターム (17件)：

4K030CA04 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA00 ,  5F004BC02 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC09 ,  5F045AE01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EG08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 排気装置および排気方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164879   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-297022
  
• フィルタ切替え方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216277   出願人：九州日本電気株式会社
• 常圧CVD装置の排気浄化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-316674   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-297022