特許
J-GLOBAL ID：200903083548790776
化合物半導体装置、及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016100
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214847
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗が低く、かつ、熱安定性に優れた信頼性の高いオ-ミック電極を有する高性能HBTを提供し、また、その容易で低コストな作製方法を提供する。【解決手段】 オーミック電極としてNiとTiからなる金属間化合物を用い、HBTのオーミック電極を同時に、また、逆メサ構造上に自己整合的に、形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上に、コレクタ・コンタクト層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層の主要な半導体層が順次積層された縦型構造からなるヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、オーミック電極は少なくともニッケルとチタンからなる金属間化合物を含む電極材料で構成されることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/28 301
, H01L 29/43
H01L 29/72
, H01L 21/28 301 H
, H01L 29/46 H
