特許

J-GLOBAL ID：200903083559365198

シリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置

発明者： 永井 祐介 ,  森重 幸雄 ,  渡辺 陽介
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-294473
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108459
出願日： 2004年10月07日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って良好な変質層を形成することができるシリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成するシリコンウエーハのレーザー加工方法であって、レーザー光線の波長が1100〜2000nmに設定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成するシリコンウエーハのレーザー加工方法であって、 レーザー光線の波長が1100〜2000nmに設定されている、 ことを特徴とするシリコンウエーハのレーザー加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40

FI (3件)：

H01L21/78 B ,  B23K26/38 320Z ,  B23K26/40

Fターム (7件)：

4E068AE01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068CA15 ,  4E068CE05 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3408805号公報
  

審査官引用 (3件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-277163   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法及びレーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-188870   出願人：アイシン精機株式会社
• 基板割断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-042747   出願人：キヤノン株式会社