特許
J-GLOBAL ID：200903090205999692

基板割断方法

発明者：
西脇 正行

西脇 正行 について

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森本 弘之

森本 弘之 について

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井利 潤一郎

井利 潤一郎 について

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稲田 源次

稲田 源次 について

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須釜 定之

須釜 定之 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235993
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】レーザ加工によって内部亀裂を発生させる内部加工において、基板表面の遮蔽物や表面加工痕等によるエネルギーロスを低減する。【解決手段】レーザ光Lを少なくとも4本のビームLeに分割して、それぞれ個別にシリコン基板10の内部に集光させ、内部亀裂12を発生させる。基板表面11にはケガキによる線状加工部である表面加工痕11aが設けられており、基板表面11に対する各ビームLeの入射位置を表面加工痕11aの両側に設けることで各ビームLeが表面加工痕11aによってケラレるのを防ぎ、エネルギーロスを回避する。外力によってシリコン基板10を素子チップに分割する割断工程では、表面加工痕11aに応力が集中して表面加工痕11aと内部亀裂12cが連結することで、基板表面11は確実に割断予定線Cに沿って分断されるため、精密な割断を行うことができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板を複数の素子チップに分離するための基板割断方法であって、 基板の割断予定線に応力を集中させるための線状加工部を基板表面に形成する表面加工工程と、 少なくとも4本のレーザビームをそれぞれ基板表面の異なる位置に入射させ、基板内部の同一集光点で各レーザビームを個別に集光させて内部亀裂を発生させる工程と、 基板内部の同一集光点で内部亀裂を発生する少なくとも4本のレーザビームからなるビーム群を基板の割断予定線に沿って相対移動させることで亀裂群を形成する工程と、 基板に外力を与えることによって、基板内部の亀裂群と基板表面の線状加工部とを連結させる工程と、を有することを特徴とする基板割断方法。
IPC (3件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06
FI (3件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 320E ,  B23K26/06 A
Fターム (6件)：
4E068AA03 ,  4E068AE01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CD02 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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