特許

J-GLOBAL ID：200903083563081595

サファイア単結晶の育成方法

発明者： 寒河江 英章 ,  東風谷 敏男
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-177918
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007354
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】サファイア単結晶体の作製コストを低減しながら、育成結晶中への融液中のガスの取り込みを減少させ、凸形状部の成長を抑制すると共に、これを用いた基板表面に突起物を生じないサファイア単結晶を育成する方法を提供。【解決手段】チャンバ12内に設置した坩堝21に、サファイア原料粉末50を装入して加熱溶融し、原料融液から成長結晶51を引き上げるサファイア単結晶の育成方法であって、坩堝21として、イリジウムを含まない耐熱性坩堝21を用いるとともに、サファイア原料粉末50を加熱溶融する際に、雰囲気ガスを予め不活性ガスで置換し、引き続き、チャンバ12内に実質的に酸素が存在しない状態を維持するのに十分な量の不活性ガスを流通する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設置した坩堝に、サファイア原料粉末を装入して加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げるサファイア単結晶の育成方法であって、 坩堝として、イリジウムを含まない耐熱性坩堝を用いるとともに、サファイア原料粉末を加熱溶融する際に、雰囲気ガスを予め不活性ガスで置換し、引き続き、チャンバ内に実質的に酸素が存在しない状態を維持するのに十分な量の不活性ガスを流通することを特徴とするサファイア単結晶の育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/20 ,  C30B 15/10

FI (2件)：

C30B29/20 ,  C30B15/10

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• チタンを含む酸化アルミニウム単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096938   出願人：三菱重工業株式会社
• サファイア単結晶育成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-044508   出願人：住友金属鉱山株式会社
• サファイア単結晶引上成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166498   出願人：株式会社第一機電

審査官引用 (4件)

• サファイア単結晶引上成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166498   出願人：株式会社第一機電
• サファイア単結晶育成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-044508   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 特開昭61-247683
  
• 特開昭61-247683