特許
J-GLOBAL ID：200903083589356908
ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横川 邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203205
公開番号（公開出願番号）：特開平10-031300
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【目的】 ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、マスクパターンに対応する転写像の周囲にゴースト等が発生することを防止し、さらにマスクパターンの面積が大きくなる場合に転写像が不鮮明になるのを防止する。【構成】 微細パターンP1及び大面積パターンP2以外の部分は透明基板1のみで形成され、微細パターンP1及びパターン内周部P3はMo・Si系材料の半透明位相シフト膜2aによって形成され、そして、パターン内郭部P4はCr等から成る遮光膜3aによって形成される。大面積パターンP2の内部は全てが半透明位相シフト膜2aによって形成されるのではなくて、パターン内郭部P4が遮光膜3aで形成されることにより、半透明位相シフト膜2aによって形成されるパターン内周部P3は所定幅Aに制限される。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、所定の形状のパターン部の輪郭の内側に所定幅で形成されたパターン内周部と、そのパターン内周部の内側に存在するパターン内郭部とを有しており、そのパターン内周部は半透明位相シフト膜によって区画形成され、上記パターン内郭部は遮光膜によって区画形成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
