特許
J-GLOBAL ID：200903083612326299
リソグラフィにおける粗密バイアスを制御するための方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 吉田 裕
, 森 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-021605
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216949
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】リソグラフィ装置、および集積回路(IC)などのデバイスの製造時にこのリソグラフィ装置を使用する方法を提供すること。【解決手段】本発明によれば、特に、2以上のスペクトル・ピークを含んだスペクトル分布を有する放射線を使用することによって、基板に印刷されるパターンの粗密バイアスを制御することができるリソグラフィ装置が提供される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
放射線ビームを条件付けるように構成された照明システムと、
パターン化された放射線ビームを形成するように前記放射線ビームの断面にパターンを付与することができるパターン化デバイスを支持するように構築されたサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターン化された放射線ビームを前記基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、
前記基板にパターンを形成する際に、2以上の離散スペクトル・ピークを含んだスペクトル・エネルギー分布を有するように前記放射線ビームを制御することによって粗密バイアスを制御し、粗密バイアスを実質的にプリセット公称値に維持するように構築および配置されたリソグラフィ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 516Z
, G03F7/20 521
5F046AA28
, 5F046CA07
, 5F046DA01
