特許
J-GLOBAL ID：200903083615178843

III族窒化物半導体装置

発明者：
新山 勇樹

新山 勇樹 について

, 
増田 満

増田 満 について

, 
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-223316
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047767
出願日： 2006年08月18日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】III族窒化物半導体電界効果型トランジスタとこのトランジスタに光を照射する光源及びその駆動回路の小型化を図ること。【解決手段】基板1上に設けられ且つIII族窒化物半導体から構成される電界効果型トランジスタ21と、基板1上に設けられ且つ電界効果トランジスタ21に光を照射するための発光素子22とを有するIII族窒化物半導体装置により、発光素子22から電界効果型トランジスタ21に光を照射してソース・ドレイン間の電流コラプスによるオン抵抗を低減する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に設けられ且つIII族窒化物半導体から構成される電界効果型トランジスタと、 前記基板上に設けられ且つ前記電界効果トランジスタに光を照射するための発光素子と を有することを特徴とするIII族窒化物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/15 ,  H01L 33/00 ,  H01L 27/095
FI (3件)：
H01L27/15 B ,  H01L33/00 L ,  H01L29/80 E
Fターム (18件)：
5F041CA40 ,  5F041FF16 ,  5F102FA00 ,  5F102GA14 ,  5F102GA19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC02 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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