特許
J-GLOBAL ID：200903083634120970

半導体記憶装置

発明者：
牧 康彦

牧 康彦 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-014861
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体記憶装置に関し、チップ面積を縮小した半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体記憶装置において、複数のメモリセルよりなる複数のメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの間に配置され、前記メモリセルアレイと接する部分の形状が前記メモリセルと同じ形状を持つセンスアンプとを、ビット線に接続するように構成する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルよりなる複数のメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの間に配置され、前記メモリセルアレイと接する部分の形状が前記メモリセルと同じ形状を持つセンスアンプとを、ビット線に接続したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/419 ,  G11C 11/41 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11
FI (3件)：
G11C 11/34 311 ,  G11C 11/34 345 ,  H01L 27/10 381
Fターム (12件)：
5B015HH01 ,  5B015JJ21 ,  5B015JJ32 ,  5B015KB23 ,  5B015PP01 ,  5B015PP02 ,  5F083BS27 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083LA01 ,  5F083LA03 ,  5F083ZA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046602   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-070296   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-327216   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046602   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-070296   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-327216   出願人：日本電気株式会社
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