特許

J-GLOBAL ID：200903083642424597

低コスト混合メモリ集積回路の新規な構造、新規なNVRAM構造ならびに混合メモリおよびNVRAMの構造を形成する方法

発明者： ルイス・ルー=チェン・フー ,  ジャック・アラン・マンデルマン ,  ファリボルツ・アッサデラヒ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-099200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289980
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 NVRAMセル構造、DRAMセル構造、およびSRAMセル構造を含んでいる半導体メモリデバイス、NVRAMセル構造。 NVRAM、DRAM、もしくはSRAMメモリ構造を一枚の基板上に含んでいるメモリ構造を形成する方法、ならびに新規なNVRAMセル構造を形成する方法の提供。【解決手段】 NVRAMセル構造、DRAMセル構造、およびSRAMセル構造は同一基板上にある。

請求項（抜粋）：

NVRAMセル構造と、DRAMセル構造と、SRAMセル構造とを備えており、前記NVRAMセル構造、前記DRAMセル構造および前記SRAMセル構造が同一基板上にある半導体メモリ・デバイス。

IPC (9件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293765   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-293569
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294865   出願人：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置およびその検査方法およびその検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-113900   出願人：株式会社東芝