特許
J-GLOBAL ID:200903082096079780
半導体集積回路装置およびその検査方法およびその検査装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-113900
公開番号(公開出願番号):特開平10-070243
出願日: 1997年05月01日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】 1つの半導体チップに混載された、互いに機能が異なっている複数の機能回路それぞれの特性を、テストのときに正確に測定できる1チップ混載型の半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 互いに機能が異なっている機能回路、例えばプロセッサ2、SRAM3、DRAM4、Flash-EEPROM5を、半導体チップ1に混載し、これら機能回路のうち、半導体チップ1の電位を揺らすFlash-EEPROM5を、他の機能回路から、半導体チップ1内に設けた分離領域10によって互いに分離するとともに、分離領域10を、半導体チップ1の側面に、その全周に渡って接触させる。
請求項(抜粋):
互いに機能が異なっている複数の機能回路を、1つの半導体チップに混載した1チップ混載型の半導体集積回路装置であって、前記複数の機能回路のうち、前記半導体チップの電位を揺らす機能回路を、他の機能回路から、前記半導体チップ内に設けた分離領域によって互いに分離するとともに、前記分離領域を、前記半導体チップの側面に、前記半導体チップの全周に渡って接触させたことを特徴とする1チップ混載型の半導体集積回路装置。
IPC (6件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, G01R 31/28
, G11C 29/00 675
, H01L 21/66
, H01L 27/10 491
FI (6件):
H01L 27/04 T
, G11C 29/00 675 L
, H01L 21/66 W
, H01L 27/10 491
, G01R 31/28 V
, H01L 27/04 U
引用特許:
審査官引用 (14件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-224360
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-169050
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-307466
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-184110
出願人:日本電気株式会社
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テスト回路を内蔵したアナログ・ディジタル混在マスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-074673
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-128666
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記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-189589
出願人:三洋電機株式会社
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プロ-ビング装置およびプロ-ビング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-039585
出願人:株式会社東芝
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-153425
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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3重ウェル構造を有する半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-035615
出願人:三星電子株式会社
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特開平4-068561
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電力保持型集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-330122
出願人:ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-294799
出願人:株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-232089
出願人:三菱電機株式会社
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