特許

J-GLOBAL ID：200903083650506985

亜鉛含有化合物

発明者： 押切 光丈
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296709
公開番号（公開出願番号）：特開2006-104042
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 光触媒として利用可能な酸化亜鉛ZnOあるいは酸化亜鉛を含む化合物半導体の機能波長領域を長波長領域へ拡大し、反応効率を向上させる技術を提供すること。【解決手段】 酸化亜鉛ZnO、あるいは価電子帯が酸素Oあるいは窒素Nの2p軌道で構成されている酸化亜鉛ZnOを含む亜鉛含有化合物中に存在する、酸素Oあるいは窒素N原子により囲まれた八面体に、ニッケルNi等の遷移金属を挿入し、亜鉛Zn原子周辺の配位子数や配位元素を制御し、また、化学量論組成調整のため、場合によっては亜鉛Znの一部をガリウムGa等の三価元素で置換し、光触媒として好適な電子構造を構築する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

結晶構造中に、亜鉛Znが4つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである四面体ZnO4-xNx(x=0,1,2,3,4)が存在し、かつコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuおよび銀Ag以外の金属Mが6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである八面体MO6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)または6つの酸素Oあるいは窒素Nのいずれか一方またはその両方により囲まれた、一辺の長さが2.5オングストロームから4.0オングストロームである空の八面体O6-xNx(x=0,1,2,3,4,5,6)が存在する亜鉛含有化合物であって、価電子帯頂上の波動関数が、酸素の2p軌道あるいは窒素の2p軌道、または金属MがタリウムTl、鉛PbあるいはビスマスBiである場合は6s軌道、金属MがガドリニウムGdの場合は4f軌道を主要な成分として含み、八面体内部の金属Mの一部がコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agにより置換され、または八面体内部の空の空間にコバルトCo、ニッケルNi、銅Cuあるいは銀Agが挿入されていることを特徴とする亜鉛含有化合物。

IPC (5件)：

C01G 9/00 ,  B01J 27/24 ,  B01J 35/02 ,  C01B 3/04 ,  B01D 53/86

FI (5件)：

C01G9/00 B ,  B01J27/24 M ,  B01J35/02 J ,  C01B3/04 A ,  B01D53/36 J

Fターム (57件)：

4D048AA21 ,  4D048AB03 ,  4D048BA16X ,  4D048BA17Y ,  4D048BA18Y ,  4D048BA20Y ,  4D048BA22Y ,  4D048BA34Y ,  4D048BA35X ,  4D048BA37Y ,  4D048BA38Y ,  4D048BA42Y ,  4D048BA46X ,  4D048EA01 ,  4G047AA04 ,  4G047AA05 ,  4G047AB01 ,  4G047AB05 ,  4G047AC03 ,  4G069AA02 ,  4G069BA48A ,  4G069BB06A ,  4G069BB11A ,  4G069BB20A ,  4G069BB20B ,  4G069BC16A ,  4G069BC17A ,  4G069BC18A ,  4G069BC19A ,  4G069BC21A ,  4G069BC22A ,  4G069BC23A ,  4G069BC25A ,  4G069BC29A ,  4G069BC31A ,  4G069BC31B ,  4G069BC32A ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC44A ,  4G069BC50A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC70A ,  4G069BC74A ,  4G069BC75A ,  4G069BD03A ,  4G069CA01 ,  4G069CA10 ,  4G069CA11 ,  4G069CA17 ,  4G069CC33 ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069EC24 ,  4G069ED04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-056848   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (5件)

• p型酸化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139320   出願人：小林健吉郎, 富士電機株式会社
• 酸化亜鉛基層状化合物を内包した構造を持つ酸化亜鉛材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-228226   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 窒素含有酸化亜鉛粉末およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369546   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 可視光域でも触媒活性を有する光触媒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-391381   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-056848   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 新規可視光応答型光触媒ZnO-GaN固溶体の調製条件の検討と光触媒活性