特許

J-GLOBAL ID：200903017223530449

p型酸化物半導体およびその製造方法

発明者： 小林 健吉郎 ,  津田 孝一
出願人/特許権者： 小林 健吉郎 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139320
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322814
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】【課題】発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。【解決手段】X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中にY ( ≦X )族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属-窒素結合を導入する。

請求項（抜粋）：

【請求項1 】II族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中には I族窒化物またはII族窒化物のなかの少なくとも1 つからなる金属-窒素結合を有することを特徴とする p型酸化物半導体。【請求項2 】前記II族酸化物半導体はZn1-x-y Bex Mgy O(但し、1-x-y>0 、0≦x ≦1 、0 ≦y ≦1 ) であることを特徴とする請求項1 に記載の p型酸化物半導体。【請求項3 】前記 I族窒化物はLi3Nであり、前記II族窒化物はBe3N2 またはMg3N2 の少なくとも1 つであることを特徴とする請求項1 または2 に記載の p型酸化物半導体。【請求項4 】 III族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中には I族窒化物、II族窒化物または III族窒化物のなかの少なくとも1 つから成る金属-窒素結合を有することを特徴とする p型酸化物半導体。【請求項5 】前記 III族酸化物半導体はIn2O3 であることを特徴とする請求項4 に記載の p型酸化物半導体。【請求項6 】前記 I族窒化物はLi3Nであり、前記II族窒化物はBe3N2 またはMg3N2 の少なくとも1 つであり、 III族窒化物はAlN またはGaN の少なくとも1つであることを特徴とする請求項4 または5 に記載のp 型酸化物半導体。【請求項7 】IV族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中には I族窒化物、II族窒化物、 III族窒化物またはIV族窒化物のなかの少なくとも1 つから成る金属-窒素結合を有することを特徴とする p型酸化物半導体。【請求項8 】前記IV族酸化物半導体はSn1-x Tix O2(但し、0 ≦x ≦1 )であることを特徴とする請求項7 に記載の p型酸化物半導体。【請求項9 】前記 I族窒化物はLi3Nであり、前記II族窒化物はBe3N2 またはMg3N2の少なくとも1 つであり、前記 III族窒化物はAlN またはGaN の少なくとも1 つであり、また前記IV族窒化物はSi3N4 であることを特徴とする請求項7 または8 に記載の p型酸化物半導体。【請求項10】 V族酸化物からなるp型酸化物半導体であって、前記p型酸化物半導体中には I族窒化物、II族窒化物、 III族窒化物またはIV族窒化物のなかの少なくとも1 つから成る金属-窒素結合が存在することを特徴とする p型酸化物半導体。【請求項11】前記 V族酸化物半導体はNb2(1-X)TaX O5(但し、0 ≦x ≦1 )であることを特徴とする請求項10に記載の p型酸化物半導体。【請求項12】前記 I族窒化物はLi3Nであり、前記II族窒化物はBe3N2 またはMg3N2 の少なくとも1 つであり、前記 III族窒化物はAlN またはGaN の少なくとも1 つであり、また前記IV族窒化物はSi3N4 であることを特徴とする請求項10または11に記載の p型酸化物半導体。【請求項13】前記II族酸化物半導体に I族窒化物またはII族窒化物の少なくとも1 つを添加することを特徴とする請求項1 ないし3 のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項14】前記 III族酸化物半導体に I族窒化物、II族窒化物、 III族窒化物のなかの少なくとも1 つを添加することを特徴とする請求項4 ないし6 のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項15】前記IV族酸化物半導体に I族窒化物、II族窒化物、 III族窒化物またはIV族窒化物の少なくとも1 つを添加することを特徴とする請求項7 ないし9 のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項16】前記 V族酸化物半導体に I族窒化物、II族窒化物、 III族窒化物、IV族窒化物の少なくとも1 つを添加することを特徴とする請求項10ないし12のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項17】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記酸化物半導体および前記窒化物をターゲットとし、窒素ガスを用いたスパッタリングにより、両者を同時に堆積させることを特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載のp型酸化物半導体の製造方法。【請求項18】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記酸化物半導体および前記窒化物を抵抗加熱あるいは電子線加熱により蒸発させ、両者を同時に堆積させることを特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項19】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記酸化物半導体および前記窒化物をレーザアブレーションし、両者を同時に堆積させることを特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項20】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記窒化物の成分金属の窒化を行いながら、生成した窒化物を前記酸化物半導体と同時に堆積することによって前記酸化物半導体に添加することを特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項21】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記窒化物の成分金属を窒素プラズマ中で反応性スパッタリングすることにより前記酸化物半導体へ窒化物を添加することを特徴とする請求項20に記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項22】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記窒化物の成分金属を窒素プラズマ中で反応性蒸着することにより前記酸化物半導体へ窒化物を添加することを特徴とする請求項20に記載の p型酸化物半導体の製造方法。【請求項23】前記 p型酸化物半導体の製造方法において、前記窒化物の成分金属を窒素プラズマ中でレーザアブレーションすることにより前記酸化物半導体へ窒化物の添加することを特徴とする請求項20に記載の p型酸化物半導体の製造方法。

IPC (11件)：

C01G 9/00 ,  B01J 23/06 ,  B01J 35/02 ,  C01G 15/00 ,  C01G 23/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (11件)：

C01G 9/00 B ,  B01J 23/06 M ,  B01J 35/02 J ,  C01G 15/00 B ,  C01G 23/00 C ,  C01G 35/00 C ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 31/10 A

Fターム (73件)：

4G047AA04 ,  4G047AB01 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4G047CA01 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G048AA03 ,  4G048AA04 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G069AA08 ,  4G069BA48A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BB11A ,  4G069BB11B ,  4G069BC04A ,  4G069BC10A ,  4G069BC10B ,  4G069BC11A ,  4G069BC11B ,  4G069BC16A ,  4G069BC17A ,  4G069BC18A ,  4G069BC22A ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC50A ,  4G069BC55A ,  4G069BC56A ,  4G069BD05A ,  4G069CD10 ,  4G069DA05 ,  4G069EA07 ,  4G069FA01 ,  4G069FB02 ,  4K029AA07 ,  4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029GA01 ,  5F041AA11 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049WA05 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB60 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK05 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103NN03 ,  5F103PP19

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 紫外線赤外線遮断ガラス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-030687   出願人：日産自動車株式会社
• 電子デバイス用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167686   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 電子デバイス用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343895   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 非線形光学材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-321579   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 紫外線赤外線遮断ガラス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-030687   出願人：日産自動車株式会社
• 電子デバイス用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167686   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 電子デバイス用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343895   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 非線形光学材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-321579   出願人：松下電器産業株式会社