特許

J-GLOBAL ID：200903083659048009

半導体力学量センサ

発明者： 酒井 峰一 ,  村田 稔
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210805
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044450
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】使用環境が変化しても安定したセンサ出力を得ることができる半導体力学量センサを提供する。【解決手段】支持基板5の上に絶縁膜を介してシリコン薄膜が配置され、シリコン薄膜にて重り部15と可動電極16,17を有する梁構造体10および固定電極20,24を有する片持ち梁構造体11,12が区画形成されている。梁構造の重り部15に設けた可動電極16,17と片持ち梁構造の固定電極20,24が対向配置されている。片持ち梁構造の固定電極20,24での固定端側の根元部22,26において貫通孔23a,23b,27a,27bが形成され、根元部22,26の幅W1は固定電極の幅W2よりも狭くなっており、支持基板5の反りが片持ち梁構造の固定電極20,24に伝わることが抑制される。

請求項（抜粋）：

支持基板の上にセンサエレメント用半導体基板が配置され、センサエレメント用半導体基板にて重り部と可動電極を有する梁構造体および固定電極を有する片持ち梁構造体が区画形成され、梁構造の前記重り部に設けた可動電極と片持ち梁構造の固定電極が対向配置され、固定電極に対する力学量の印加による可動電極の変位を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、前記片持ち梁構造の固定電極における固定端側の根元部の幅を固定電極の幅よりも狭くしたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/14 J ,  G01P 15/125

Fターム (9件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA25 ,  4M112CA26 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112EA03 ,  4M112FA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-163158   出願人：株式会社村田製作所
• 多層基板からなるセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017750   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体加工部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058057   出願人：株式会社村田製作所