特許
J-GLOBAL ID：200903083673178594
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278007
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114452
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 上に重ねた半導体チップの電極パッドを下の電極パッドを介して内部電極と接続することにより、ワイヤのループ高さを抑えて薄形化した、積層型マルチチップ半導体装置を実現する。【解決手段】 第1の半導体チップ10を固着し、第1の半導体チップ10の上に第2の半導体チップ11を固着する。第1のボンディングパッド12aにボールバンプ17を形成する。ボールバンプにステッチボンドを行うように、第2のボンディングパッド12bとボールバンプ17とを第2のボンディングワイヤ18で接続する。更に、ボールバンプ17と内部電極14とを第1のボンディングワイヤ19で接続する。第2のボンディングパッド12bと内部電極14とが、第1のボンディングパッド12aを介して電気接続される。
請求項（抜粋）：
第1のボンディングパッドを有する第1の半導体チップと、第2のボンディングパッドを有し前記第1の半導体チップの上に固着された第2の半導体チップと、前記第1と第2のボンディングパッドに電気的に接続すべき内部電極と、前記第1のボンディングパッドの表面に形成したボールバンプと、前記第2のボンディングパッドと前記ボールバンプとを接続する第1のワイヤと、前記ボールバンプと前記内部電極とを接続する第2のワイヤと、前記第1と第2の半導体チップの周囲を被覆する絶縁樹脂と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
