特許
J-GLOBAL ID：200903083686081271

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
英 智喜

英 智喜 について

, 
成田 准也

成田 准也 について

, 
前川 仁志

前川 仁志 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346611
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151908
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】窒化物半導体基板の成長方法であって、保護膜を有さずに低欠陥の窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】基板上に部分的にエッチングを行い、このエッチング領域に隆起柱を形成する。その後、このエッチング領域より第1の窒化物半導体を選択的に成長させる。さらに、この第1の窒化物半導体を成長核として第2の窒化物半導体を成長させることで平坦な窒化物半導体基板となる。この選択成長により得られる窒化物半導体基板は横方向成長を利用した低欠陥基板である。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体を選択成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、基板上に保護膜を成膜し、部分的に保護膜に開口部を形成する第1の工程と、保護膜の開口部から露出した基板表面をエッチングする第2の工程と、前記保護膜を除去した後、基板上に形成されたエッチング領域から窒化物半導体を選択的に 成長させる第3の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/80 ,  H01L 33/00
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 Z ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/302 N
Fターム (47件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE02 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC17 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004EA06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD15 ,  5F043FF10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB14 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DB09 ,  5F045HA02 ,  5F102FA00 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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