転写露光方法、転写露光装置及びパターン転写用マスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡部温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054413
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】大型のマスク作製に伴う困難及び転写精度劣化を解消することのできる転写露光方法を提供する。【解決手段】本転写露光方法では、1露光単位分のパターン領域をカバーするマスク51を、複数枚のマスク基板55-1〜4に分割して作製し、該マスク基板55-1〜4を転写露光装置内に並置する。そして、複数のマスク基板55-1〜4の各々に対して、個別に基板の座標の測定を行い、測定された個別の各マスク基板座標に基づいて露光位置補正を行うとともに、該マスク基板上のパターンの転写露光を行う。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたパターンにエネルギ線を当て、該マスクを通過してパターン化されたエネルギ線を感応基板上に結像転写する転写露光方法であって;1露光単位分のパターン領域をカバーするマスクを、複数枚のマスク基板に分割して作製し、該複数枚のマスク基板を転写露光装置内に並置し、該複数のマスク基板の各々に対して、個別に基板の座標の測定を行い、測定された個別の各マスク基板座標に基づいて露光位置補正を行うとともに、該マスク基板上のパターンの転写露光を行うことを特徴とする転写露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

FI (5件)：

H01L 21/30 541 S , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 541 K , H01L 21/30 541 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-140753
位置合わせ用マーク構造、その製法、リソグラフィマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050177 出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社ソルテック
露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-327919 出願人：株式会社ニコン

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