半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293902
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128406
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】COP型FeRAMセルのキャパシタ下のWプラグの酸化を薄いバリア層で防止すること。【解決手段】SiC膜21とTiC/TiSi層26とからなる十数nm程度以下の積層膜で、Wプラグ20の上面を覆う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた導電性プラグと、前記導電性プラグ上に設けられた炭化珪素膜と、前記炭化珪素膜上に設けられ、金属炭化物を含む金属化合物膜と、前記金属化合物膜上に設けられた電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L27/105 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (4件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 651 , H01L21/90 C , H01L21/88 R

Fターム (48件)：

5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH26 , 5F033HH27 , 5F033HH30 , 5F033HH35 , 5F033HH36 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033JJ27 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM14 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F083AD10 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR15 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-074574 出願人：株式会社東芝
FeRAMコンデンサの化学機械的研磨
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-522624 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016399 出願人：株式会社日立製作所

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