特許
J-GLOBAL ID:200903083765073128
サブフタロシアニン化合物の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐野 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-105280
公開番号(公開出願番号):特開2005-289854
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 高純度、高収率で、工業的かつ簡便なサブフタロシアニン化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示されるサブフタロシアニン化合物の製造方法において、1,2-ジシアノベンゼン誘導体と硼素化合物を溶媒中で加熱させて反応させる方法であって、サブフタロシアニン化合物の生成が生起する温度までの平均の昇温速度が0.1〜5°C/minであることを特徴とする製造方法。 【化1】(但し、Xはハロゲン原子、アルキル基又はアリール基を、環Y1〜Y3はそれぞれ置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を示す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
1,2-ジシアノベンゼン誘導体と硼素化合物を溶媒中で加熱させ反応させて、下記一般式(1)で示されるサブフタロシアニン化合物を製造する方法において、サブフタロシアニン化合物の生成反応が生起する温度より50°C低い温度から、生成反応が生起する温度に達するまでの平均の昇温速度を0.1〜5°C/minとすることを特徴とするサブフタロシアニン化合物の製造方法。
IPC (4件):
C07D487/22
, C09B47/00
, C09B47/067
, H05B33/14
FI (4件):
C07D487/22
, C09B47/00
, C09B47/067
, H05B33/14 B
Fターム (11件):
3K007DB03
, 3K007FA00
, 4C050AA03
, 4C050BB04
, 4C050CC04
, 4C050DD01
, 4C050EE06
, 4C050FF05
, 4C050GG01
, 4C050HH01
, 4C050PA20
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (2件)
-
Synthesis, 1996, No.9, p.1139-1151
-
European Journal of Organic Chemistry, 2003, No.14, p.2547-2551
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