特許

J-GLOBAL ID：200903083774596540

同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法

発明者： 野田 哲二 ,  胡 全利 ,  李 国慶 ,  鈴木 裕 ,  荒木 弘
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333257
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142680
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 不純物金属の含有を不可避的な含有にまで抑え、高性能量子素子の実現をより現実的なものとする同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法を提供する。【解決手段】 28Si、29Si、又は30Siのいずれか一つの同位体が自然同位体組成より濃縮されるとともに、少なくとも酸素若しくはフッ素のいずれかを含む一方、不純物金属の含有は不可避的のみとされた同位体シリコンフレーク若しくは同位体シリコン粉末のいずれかをロッド状に成形した後、帯域溶融法により、その成形物から直径がナノメートルオーダーの同位体シリコンナノワイヤーを作製する。

請求項（抜粋）：

28Si、29Si、又は30Siのいずれか一つの同位体が自然同位体組成より濃縮され、不純物金属の含有が不可避的のみに抑えられた、直径がナノメートルオーダーにあることを特徴とする同位体シリコンナノワイヤー。

IPC (5件)：

H01L 29/06 601 ,  H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02

FI (5件)：

H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/06 601 L ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/02 Z

Fターム (10件)：

4G072AA01 ,  4G072BB03 ,  4G072BB05 ,  4G072DD09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072LL03 ,  4G072NN05 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 同位体超格子半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-065015   出願人：学校法人慶應義塾
• シリコン針状結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154115   出願人：電気化学工業株式会社
• 高純度同位体シリコン結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069557   出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長