特許
J-GLOBAL ID：200903083829095953
キャパシタンス素子、及びキャパシタンス素子製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-081897
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250660
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 大きな静電容量のキャパシタンス素子を提供する。【構成】 基板3上に白金を主成分とする下部電極膜5を成膜する際に界面改質剤を添加しておき、その表面に酸化物誘電体薄膜6を成膜すると、界面近傍の前記酸化物誘電体薄膜6の比誘電率が大きくなるので静電容量の大きなキャパシタンス素子8を得ることができる。前記酸化物誘電体薄膜6として、チタン酸ストロンチウム、チタン酸ハ ゙リウム、チタン酸ハ ゙リウムストロンチウム、チタン酸鉛、シ ゙ルコン酸チタン酸鉛、シ ゙ルコン酸チタン酸鉛ランタン、タンタル酸ヒ ゙スマスストロンチウムを用いることができ、また、前記界面改質剤としては、ルテニウム、ロシ ゙ウム、レニウム、オスミウム、イリシ ゙ウムから1又は2以上の金属を選択することができ、白金薄膜中に1原子パーセント以上20原子パーセント以下の割合で添加することが望ましい。
請求項（抜粋）：
基板上に成膜され、白金を主成分とする下部電極膜と、該下部電極膜表面に成膜された酸化物誘電体薄膜とを有するキャパシタンス素子において、前記下部電極膜には、該下部電極膜近傍の前記酸化物誘電体薄膜の誘電率を向上させる界面改質剤が添加されたことを特徴とするキャパシタンス素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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