特許
J-GLOBAL ID：200903083902829189

磁気記憶装置

発明者：
庄子 光治

庄子 光治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030340
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241672
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】素子サイズ縮小化に伴い、磁気抵抗効果型の記憶素子の記憶層の保磁力を大きくするとともに、消費電流の低減を図る。【解決手段】第1配線11と、第1配線11と立体的に交差する第2配線12と、第1配線11と第2配線12との交差領域に第2配線と電気的に接続された磁気抵抗効果型の記憶素子13とを備えた磁気記憶装置において、第1配線11の両側面および記憶素子13側とは反対側の面に高透磁率層からなる第1磁性体層21を、第1配線11側壁に形成された部分が第1配線11よりも記憶素子13側に突き出した状態に形成し、かつ第1磁性体層21の突出した部分より記憶素子13方向に記憶素子13と間隔を置いて高透磁率材料からなる第1延長部分22を形成し、同様に第2配線12に対しても高透磁率層からなる第2磁性体層24および第2延長部分25を形成したものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1配線と、 前記第1配線と立体的に交差する第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との交差領域に前記第2配線と電気的に接続された磁気抵抗効果型の記憶素子とを備えた磁気記憶装置において、 前記第1配線の両側面および前記記憶素子に対向する面とは反対側の面に高透磁率層からなる第1磁性体層が形成され、 前記第1磁性体層は、前記第1配線側壁に形成された部分が前記第1配線よりも前記記憶素子側に突き出した状態に形成され、 前記第1磁性体層の突出した部分より前記記憶素子方向に前記記憶素子と間隔を置いて高透磁率材料からなる第1延長部分が形成され、 前記第2配線の両側面および前記記憶素子に対向する面とは反対側の面に高透磁率層からなる第2磁性体層が形成され、 前記第2磁性体層は、前記第2配線側壁に形成された部分が前記第2配線よりも前記記憶素子側に突き出した状態に形成され、 前記第2磁性体層の突出した部分より前記記憶素子方向に前記第1磁性体層および前記記憶素子と間隔を置いて高透磁率材料からなる第2延長部分が形成されている ことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (11件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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