特許
J-GLOBAL ID：200903083902986764
窒化ガリウムエピタキシー法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-298570
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134620
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】SiC(炭化シリコン)基板上にバッファ層なしで結晶性良好なGaN(窒化ガリウム)膜をエピタキシャル成長させる。【解決手段】ホットウォール型エピタキシー装置において、被処理基板34として少なくとも蒸着面がSiC単結晶からなるものを用いる。また、ソース物質28として金属Gaを用いると共に、ガス導入管38を介してGa蒸気の通路にNH3(アンモニア)等の窒素含有ガスを反応ガスGとして導入する。このような装置を用いてエピタキシャル成長を行なうことにより基板34の蒸着面にてSiC単結晶に直接連続してGaN膜をエピタキシャル成長させる。ソース物質28としては、TMG(トリメチルガリウム)等の有機ソースを用いてもよく、窒素含有ガスとしては、窒素ラジカルを含むガスを用いてもよい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
真空に排気されるチャンバと、
この真空チャンバ内に配置され、ソース物質を収容する収容手段と、
この収容手段に収容されたソース物質を蒸発させるべく加熱する第1の加熱手段と、
前記真空チャンバ内において前記収容手段の上方に配置され、被処理基板を蒸着面が前記収容手段に向く状態で保持する保持手段と、
この保持手段で保持された被処理基板を蒸着面とは反対側の面から加熱する第2の加熱手段と、
前記真空チャンバ内において前記収容手段に収容されたソース物質の蒸気を前記保持手段で保持された被処理基板の蒸着面に案内する案内手段と、
この案内手段で案内されるソース物質の蒸気を加熱する第3の加熱手段と、
前記ソース物質の蒸気と反応する反応ガスを前記真空チャンバの外部から前記ソース物質の蒸気の通路に導入する導入手段と
を備えたホットウォール型エピタキシー装置を用いる窒化ガリウムエピタキシー法であって、
前記被処理基板として少なくとも蒸着面が炭化シリコンの単結晶からなるものを用いると共に、前記ソース物質としてガリウムを、前記反応ガスとして窒素含有ガスをそれぞれ用いることにより前記被処理基板の蒸着面にて前記炭化シリコンの単結晶に直接連続して窒化ガリウムをエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化ガリウムエピタキシー法。
IPC (6件)：
H01L21/205
, C23C14/06
, C23C14/24
, C23C14/26
, C30B29/38
, H01L21/20
H01L21/205
, C23C14/06 A
, C23C14/24 K
, C23C14/26 Z
, C30B29/38 D
, H01L21/20
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DA02
, 4G077ED06
, 4G077EG16
, 4G077EG18
, 4G077EG25
, 4G077SA04
, 4G077SA11
, 4G077SA12
, 4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029CA02
, 4K029DA08
, 4K029DB12
, 4K029DB17
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE15
, 5F045AF02
, 5F045BB08
, 5F045BB12
, 5F045DP05
, 5F045EB02
, 5F045EK14
, 5F052DA04
, 5F052GC10
, 5F052JA07
, 5F052KA05
