特許
J-GLOBAL ID：200903003300226714
III族窒化物半導体の成膜方法及び成膜装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100725
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 良質のIII族窒化物半導体膜を成膜することを可能とし、特に正確な混晶比制御を行うことを可能としたIII族窒化物半導体膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 チャンバ1内に複数のHWE炉2a〜2dが互いに平行に立設されて配置される。HWE炉2a〜2dには異なる固体ソースを入れ、これらの上方に保持された基板9を順次選択されたHWE炉上に移動させることにより、成膜を行う。InGaN膜の成膜は、一つのHWE炉にInとGaを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてNH3+N2をHWE炉上に供給する。この際、ヒータ10により基板9の加熱温度を制御して、混晶比の制御を行う。
請求項（抜粋）：
固体ソースを加熱蒸発させて基板に成膜するホットウォールエピタキシー装置を用いてIII族窒化物半導体を成膜する方法において、二種のIII族金属を一つのホットウォールエピタキシー炉に混合して収容して加熱蒸発させると同時に、外部から前記ホットウォールエピタキシー炉の上部に窒素源ガスを供給して基板上にIII族窒化物混晶半導体膜の成膜を行い、且つ前記基板の加熱温度を制御することによって形成されるIII族窒化物混晶半導体膜の混晶比の制御を行うことを特徴とするIII族窒化物半導体の成膜方法。
Fターム (24件)：
5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE11
, 5F045AF09
, 5F045BB04
, 5F045CA11
, 5F045CB01
, 5F045DA52
, 5F045DA54
, 5F045DA55
, 5F045DA63
, 5F045DP05
, 5F045EE07
, 5F045EE12
, 5F045EK07
, 5F045EK12
, 5F045EM03
, 5F045EN05
