高圧処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128276
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324777
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体基板を乾燥処理等するとき、撹拌作用を施すと効率が向上するがパーティクルが発生するのでこれを抑制する高圧処理装置を提供する。【解決手段】支持体4と回転駆動体6とを連結する軸部5をシールする軸シール部7を備え、この軸シール部7を介して、処理室2と回転駆動体6とが隔離されており、前期処理室2と軸シール部7との間の連通路11を介して排出手段9の排出口9Aを備えている。

請求項（抜粋）：

内部に処理室(2)を有する処理容器(1)と、前記処理室(2)に収容されていて被処理体(3)を有する支持体(4)と、この支持体(4)を処理室(2)内で回転する回転駆動体(6)と、前記処理室(2)に高圧流体を供給する供給手段(8)および処理室(2)外に排出する排出手段(9)と、を備えている高圧処理装置において、前記支持体(4)と前記回転駆動体(6)とを連結する軸部(5)を備え、この軸部(5)をシールする軸シール部(7)を備え、この軸シール部(7)を介して前記処理室(2)と回転駆動体(6)とが隔離されており、前記処理室(2)と軸シール部(7)との間の連通路(11)を介して前記排出手段(9)の排出口(9A)を備えていることを特徴とする高圧処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 651 , B81C 5/00 , G03F 7/30 501 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 651 B , B81C 5/00 , G03F 7/30 501 , H01L 21/30 569 C , H01L 21/306 J

Fターム (10件)：

2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096GA21 , 5F043DD06 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE27 , 5F046LA05 , 5F046LA06 , 5F046LA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

超臨界乾燥装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248672 出願人：日本電信電話株式会社
基板乾燥装置及び基板乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282709 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
基板回転乾燥装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-196851 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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