特許

J-GLOBAL ID：200903083954332169

光電子応用のための(Al,Ga,In)NとZnOの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法

発明者： 村井 章彦 ,  クリスティーナ・イェ・チェン ,  ダニエル・ビー・トンプソン ,  リー・エス・マッカーシー ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  シュウジ・ナカムラ ,  ウメシュ・ケー・ミシュラ
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-517176
公開番号（公開出願番号）：特表2008-547210
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

光が導電性のあるZnOを通過し、(Al,Ga,In)NとZnOが直接ウェーハ・ボンディングされた発光ダイオード(LED)を提供する。(Al,Ga,In)NとZnOのウェーハの両方に平坦で清潔な表面を準備する。次に(Al,Ga,In)NとZnOウェーハの間でウェーハ・ボンディング工程を行うが、これは(Al,Ga,In)NとZnOウェーハを互いに張り合わせて、そこで窒素雰囲気中で一軸性圧力の下、設定温度で設定された時間ウェーハ・ボンディングを行う。ウェーハ・ボンディング工程の後、ZnOはLEDの内部から光取り出し量を増加させるために整形される。

請求項（抜粋）：

光デバイスであって、 n型III族窒化物、活性領域、およびp型III族窒化物を備えたIII族窒化物光電子デバイスと、 前記III族窒化物光デバイスの一つ以上の側面にウェーハ・ボンディングされた一つ以上の透明導電体層 を備え、光が前記透明導電体層を通過し、前記透明導電体層が透明であるために前記III族窒化物内の光吸収を低減し、前記透明導電体層が導電性であるために活性領域から発する光を均一にすることを特徴とする光デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 B

Fターム (34件)：

5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB14 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM12 ,  5F152MM13 ,  5F152NN01 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ09 ,  5F173AC04 ,  5F173AC14 ,  5F173AC52 ,  5F173AK21 ,  5F173AQ03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物の発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-128550   出願人：晶元光電股ふん有限公司
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-206217   出願人：ローム株式会社
• 光取出率を改善するための発光デバイスにおける光学エレメントの形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-098327   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー