特許
J-GLOBAL ID：200903022960296272
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-206217
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056922
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】発光部形成層とサファイア基板との間に多層反射層を設け、発光部形成層で発光した光を多層反射層で反射させて取り出すIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子が開発されている。この半導体発光素子では、多層反射層は抵抗値が高く消費電力が大きいため、なるべく陰極電極より下側に設けることが望まれる。一方、発光部形成層で発光した光の反射効率を高めるために、多層反射層は、なるべく発光部に近い位置に設けることが望まれる。しかし、多層反射層を発光部形成層に近づけると、陰極電極付近の抵抗値が高くなり、発光部形成層の一部分しか発光しないという問題が発生する。一方、多層反射層を下げると、発光部形成層で発光した光が多層反射層に到達するまでに吸収されてしまう。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、超格子層を発光部形成層と陰極電極との間に設ける。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
AlxGayIn1-x-yN(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)と表されるIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、少なくとも、基板と、該基板上に形成された多層反射層と、該多層反射層上に形成された超格子層と、該超格子層上に形成された少なくとも第2導電型半導体層および第1導電型半導体層を順に含む発光部形成層と、を順に備え、n型またはp型の半導体からなる該第1導電型半導体層に第1電極が電気的に接続されており、該第1導電型半導体層と反対の極性を持つn型またはp型の半導体からなる該第2導電型半導体層または該超格子層に第2電極が電気的に接続されている半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CB15
