特許

J-GLOBAL ID：200903083967152372

配線膜形成方法及び配線膜構造

発明者： 町田 英明 ,  國分 宏 ,  本間 哲哉 ,  高崎 明人
出願人/特許権者： 株式会社トリケミカル研究所
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260865
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 超微細な多層配線構造体を形成するに際して、銅膜が綺麗で簡単に形成できる技術を提供することである。【解決手段】 半導体基板に銅配線膜を形成する方法であって、有機銅化合物を含む溶液を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布された有機銅化合物を分解させる分解工程とを具備する配線膜形成方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板に銅配線膜を形成する方法であって、有機銅化合物を含む溶液を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で塗布された有機銅化合物を分解させる分解工程とを具備することを特徴とする配線膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/288

FI (2件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/288 Z

Fターム (89件)：

4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104FF21 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP00 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ81 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-132035
  
• 成膜方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308668   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 薄膜形成方法及び形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-357584   出願人：富士通株式会社