薄膜形成方法及び形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357584
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183164
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】薄膜形成装置の維持管理の容易な薄膜形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】形成すべき薄膜の構成元素を一部に含む化合物である原料物質を溶媒に溶かした原料溶液を準備する。基板を、原料物質の分解温度以上の温度まで加熱する。原料溶液と、加熱された基板の表面とを接触させることにより、原料物質を分解し、分解により生成した物質を基板の表面上に堆積する。

請求項（抜粋）：

形成すべき薄膜の構成元素を一部に含む化合物である原料物質を溶媒に溶かした原料溶液を準備する工程と、基板を、前記原料物質の分解温度以上の温度まで加熱する工程と、前記原料溶液と、加熱された前記基板の表面とを接触させることにより、前記原料物質を分解し、分解により生成した物質を前記基板の表面上に堆積する工程とを含む薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , C23C 18/08 , H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/90 A , C23C 18/08 , H01L 21/288 Z

Fターム (36件)：

4K022AA05 , 4K022AA41 , 4K022BA08 , 4K022DA06 , 4K022DB15 , 4K022DB18 , 4K022DB24 , 4M104BB04 , 4M104BB30 , 4M104DD51 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP11 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033WW03

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-094433
めっき処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107201 出願人：日本電気株式会社
半導体製造方法並びにその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-133502 出願人：菅沼啓一郎

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審査官引用 (6件)

特開平2-094433
特開平2-094433
成膜方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-308654 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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