特許
J-GLOBAL ID：200903083973834752

半導体装置およびその作製方法

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-115327
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302520
出願日： 2009年05月12日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と第2の導電膜との順で積層された、ゲート電極を含むゲート配線と、 前記ゲート電極及び前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上方に設けられた島状の半導体膜と、 第3の導電膜と第4の導電膜との順で積層された、ソース電極を含むソース配線と、 前記島状の半導体膜と、前記ソース電極を含むソース配線を覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の上方に設けられ、前記島状の半導体膜に電気的に接続された画素電極と、 容量配線とを有し、 前記ゲート電極は、前記第1の導電膜で形成され、 前記ゲート配線は、前記第1の導電膜と第2の導電膜で形成され、 前記ソース電極は、前記第3の導電膜で形成され、 前記ソース配線は、前記第3の導電膜と前記第4の導電膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  G02F 1/136
FI (12件)：
H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 A ,  H01L21/90 A ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612D
Fターム (148件)：
2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA16 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH12 ,  4M104HH16 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ35 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033KK38 ,  5F033LL01 ,  5F033LL02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16 ,  5F033XX32 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (3件)

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