特許
J-GLOBAL ID：200903027765403260
誘電体膜の気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038711
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249616
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 Srを含む誘電体膜を、気相反応により、基板上に、低い気化温度を有するSr原料を使い、安定した組成で、繰り返し形成することのできる気相成長方法を提供することを目的とする。【構成】 化学式がSr((CH3 )5 C5 )・THF2 であらわされる有機錯体をTHF溶剤中に溶解した液体状Sr原料、あるいはSr(thd)2 と直鎖状アミン系物質との混合物を使い、100〜150 ゚Cの範囲の温度に加熱してSrの気相原料を気化させ、基板状に誘電体膜を形成する。
請求項（抜粋）：
Srを含んだ誘電体膜を基板上に堆積する気相成長方法において、Sr((CH3 )5 C5 )2 を含むSr化合物を有機溶剤に溶解し、液体状原料を形成する溶解工程と;前記液体状原料を気化させて気相原料を形成する気化工程と;前記気化工程で得られた気相原料を、反応室中に保持された基板表面の近傍において分解させ、前記基板表面にSrを含んだ誘電体膜を堆積する堆積工程とよりなることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/205
, H01L 21/365
, C01F 11/00
