特許
J-GLOBAL ID：200903084023849660

半導体装置およびその製造方法

発明者：
樋口 安史

樋口 安史 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-214936
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150247
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】より高耐圧化を図ることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】P型の半導体支持基板11にあって埋込絶縁膜12に接する部位に、該埋込絶縁膜12によってSOI層13とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるN型の不純物拡散領域21とP型の半導体支持基板11とからなるPN接合ダイオード22を形成した。そして、このPN接合ダイオード22に対して、ドレイン電圧Vdよりも低い逆方向電圧を印加するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体支持基板上に、埋込絶縁膜および半導体層が順に積層されてなり、この半導体層に半導体デバイスが形成されてなる半導体装置において、 前記第1導電型の半導体支持基板にあって前記埋込絶縁膜に接する部位に該埋込絶縁膜によって前記半導体層とは電気的に分離された状態で埋め込み形成される第2導電型の不純物拡散領域と前記第1導電型の半導体支持基板とからなり、前記半導体デバイスに印加される最高動作電圧よりも低い逆方向電圧が印加されるPN接合ダイオードを備える、 ことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861
FI (6件)：
H01L29/78 616V ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/06 301Z ,  H01L29/91 D ,  H01L29/78 626C
Fターム (25件)：
5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ07 ,  5F110HM12 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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