半導体製造装置および半導体製造システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253131
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077028
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】大面積の基板上に組成および膜厚が均一な半導体薄膜を形成する。【解決手段】反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスを供給するための複数のガス供給手段と、複数のプラズマ発生手段と、を備えた半導体製造装置において、2以上の前記プラズマ発生手段と前記基板ホルダーが活性化される原料ガスの供給方向に沿って直列に配置されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器と、基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内に原料ガスを供給するための複数のガス供給手段と、複数のプラズマ発生手段と、を備えた半導体製造装置において、2以上の前記プラズマ発生手段と前記基板ホルダーが活性化される原料ガスの供給方向に沿って直列に配置されたことを特徴とする半導体製造装置。

Fターム (18件)：

5F045AA04 , 5F045AA08 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC15 , 5F045BB02 , 5F045BB04 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045DQ15 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EF10 , 5F045EH12 , 5F045EH14 , 5F045EK07

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平1-272769
プラズマCVD方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-086085 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172415 出願人：三菱重工業株式会社

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審査官引用 (7件)

特開平1-272769
プラズマCVD方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-086085 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172415 出願人：三菱重工業株式会社

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