特許
J-GLOBAL ID:200903084093872830

液晶ディスプレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 楠本 高義 ,  増田 建
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-171524
公開番号(公開出願番号):特開2005-352067
出願日: 2004年06月09日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】 本発明の目的は、アレイ反射ムラ及び電極の断線による部分滅点を抑制し、かつ透過率を向上させる、IPS液晶ディスプレイを提供することにある。【解決手段】 本発明の液晶ディスプレイは、絶縁基板上に形成された共通電極線を含み、共通電極線に囲まれた画素が絶縁基板上に形成された液晶ディスプレイであって、画素は、絶縁基板上に該画素を横断して形成されたCs線と、これを覆って絶縁基板上に積層された絶縁膜と、絶縁基板上にCs線と絶縁して形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に接続され、絶縁膜上に形成された透明電極である第1画素電極と、これを覆って絶縁基板上に積層されたシールド絶縁層と、これを挟んで第1画素電極と重畳し、第1画素電極と電気的に接続されてシールド絶縁層上に形成された透明電極である第2画素電極とを有し、共通電極線は、第1画素電極と絶縁されてシールド絶縁層上に形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された共通電極線を含み、該共通電極線に囲まれた画素が前記絶縁基板上に形成された液晶ディスプレイであって、 前記画素は、 前記絶縁基板上に前記画素を横断して形成されたCs線と、 前記Cs線を覆って前記絶縁基板上に積層された絶縁膜と、 前記絶縁基板上に前記Cs線と絶縁して形成されたスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に接続され、前記絶縁膜上に形成された透明電極である第1画素電極と、 前記第1画素電極を覆って前記絶縁基板上に積層されたシールド絶縁層と、 前記シールド絶縁層を挟んで前記第1画素電極と重畳し、該第1画素電極と電気的に接続されて該シールド絶縁層上に形成された透明電極である第2画素電極と、 を有し、 前記共通電極線は、前記第1画素電極と絶縁されて前記シールド絶縁層上に形成されている、液晶ディスプレイ。
IPC (2件):
G02F1/1343 ,  G02F1/1368
FI (2件):
G02F1/1343 ,  G02F1/1368
Fターム (11件):
2H092GA14 ,  2H092GA17 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JB05 ,  2H092JB63 ,  2H092JB64 ,  2H092JB68 ,  2H092JB69 ,  2H092KB25 ,  2H092NA01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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