特許
J-GLOBAL ID:200903084170007284
チップ抵抗器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長屋 直樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-319711
公開番号(公開出願番号):特開2008-135502
出願日: 2006年11月28日
公開日(公表日): 2008年06月12日
要約:
【課題】上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがなく、機能素子としての抵抗体を十分に保護することができ、低抵抗のチップ抵抗器に適したチップ抵抗器を提供する。【解決手段】第1上面電極30の上側には第2上面電極32が形成されていて、第1上面電極30と第2上面電極32との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置にカバーコート92が形成されている。第1上面電極30と第2上面電極32とは、ともに抵抗体80に接続している。保護膜98は、抵抗体の平面領域を全て被覆している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
絶縁基板に設けられた一対の電極部で、
絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第1上面電極と、
各第1上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第1上面電極と接している第2上面電極と、を有する電極部と、
一対の第1上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第2上面電極の下面に接続された抵抗体と、
抵抗体の平面領域を全て被覆するとともに、電極間方向の端部が第2上面電極の上面に形成された保護膜と、
第1上面電極とその上側の第2上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (15件):
5E032BA03
, 5E032BA15
, 5E032BB01
, 5E032CA01
, 5E032CC06
, 5E032CC14
, 5E032DA01
, 5E032TA11
, 5E032TB02
, 5E033AA22
, 5E033BB02
, 5E033BC01
, 5E033BE01
, 5E033BG01
, 5E033BH01
引用特許: