特許
J-GLOBAL ID:200903084182811801
ブラックマトリクスの形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中尾 俊輔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-121559
公開番号(公開出願番号):特開平9-304761
出願日: 1996年05月16日
公開日(公表日): 1997年11月28日
要約:
【要約】【課題】 フォト工程をまったく使用しないか、あるいは少ししか使用せず、簡単にして安価にブラックマトリクスを製造でき、しかも、高光学濃度ならびに低反射率のブラックマトリクスを得ること。【解決手段】 透明基板1上に酸化亜鉛膜20を形成し、この酸化亜鉛膜20上に塩化パラジウムによる触媒作用を利用して無電解銅メッキ23を施し、高光学濃度ならびに低反射率のブラックマトリクスを得る方法。
請求項(抜粋):
透明基板上に酸化亜鉛膜を形成し、この酸化亜鉛膜上に塩化パラジウムによる触媒作用を利用して無電解銅メッキを施すことを特徴とするブラックマトリクスの形成方法。
IPC (4件):
G02F 1/1335 500
, G02B 5/00
, G02B 5/20 101
, G02F 1/1333 500
FI (4件):
G02F 1/1335 500
, G02B 5/00 B
, G02B 5/20 101
, G02F 1/1333 500
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平4-202672
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銅メタライズ法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-166921
出願人:東陶機器株式会社
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基板およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-359711
出願人:アルプス電気株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁
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電気光学装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-007898
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開平4-020932
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特開昭63-282703
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