特許
J-GLOBAL ID：200903064717310016

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者：
岡久 拓司

岡久 拓司 について

, 
中幡 英章

中幡 英章 について

, 
中畑 成二

中畑 成二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004142
公開番号（公開出願番号）：特開2006-193348
出願日： 2005年01月11日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のIII族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板1上に第1のIII族窒化物半導体層11をエピタキシャル成長させる成長工程と、第1のIII族窒化物半導体層11を裁断および/または表面研磨してIII族窒化物半導体基板11a,11b,11c,11dを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第1のIII族窒化物半導体層11に、不純物元素としてC、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上添加する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不純物元素として、C、Mg、Fe、Be、Zn、VおよびSbからなる群から選ばれる少なくとも1種類の元素を1×1017cm-3以上の濃度で含有し、基板の主面内における前記不純物元素の最小濃度に対する最大濃度の比で表わされる前記不純物元素の濃度の面内分布が1以上3以下であり、 比抵抗が1×104Ω・cm以上で、厚さが70μm以上であるIII族窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
Fターム (40件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG11 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA66 ,  5F045DA67
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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