特許
J-GLOBAL ID：200903084287779318
真空浸炭方法及び真空浸炭装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059959
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】浸炭条件が種々異なる場合であっても浸炭処理の再現性が良好で且つ被処理品の表面炭素濃度の均一性及び精度が高い浸炭処理が可能であり、さらに、煤が極めて発生しにくい真空浸炭方法及び真空浸炭装置を提供する。【解決手段】減圧下、ブタンガスを含んだ雰囲気ガス中において、雰囲気ガス中の酸素の量と雰囲気ガスの熱伝導度とを測定しながら浸炭を行う真空浸炭装置1を、被処理品16を収納する浸炭室2と、浸炭期の浸炭室2内の雰囲気ガス中の酸素の量を測定するジルコニア式酸素センサー7と、浸炭期の浸炭室2内の雰囲気ガスの熱伝導度を測定する定温度型ピラニー真空計8と、熱伝導度の測定結果が所定の値に維持されるように、浸炭室2にブタンガスを導入して雰囲気ガスの組成を調整するマスフローコントローラ6と、浸炭処理を自動制御する浸炭制御装置11と、を備える構成とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧下、炭素含有化合物を含んだ雰囲気ガス中において、前記雰囲気ガス中の酸素の量と前記炭素含有化合物の分解度合いとを測定しながら浸炭を行う真空浸炭方法であって、
前記酸素の量が正常な浸炭処理を阻害しない量であることを確認すること、及び、前記炭素含有化合物の分解度合いが所定の値に維持されるように前記雰囲気ガスの組成を調整すること、の両方を行いながら浸炭を行うことを特徴とする真空浸炭方法。
IPC (3件)：
C23C8/20
, C21D1/06
, C21D1/74
C23C8/20
, C21D1/06 A
, C21D1/74 K
, C21D1/74 P
, C21D1/74 X
4K028AA01
, 4K028AC03
, 4K028AC08
