特許

J-GLOBAL ID：200903084355182244

酸化膜のエッチング方法

発明者： 山内 博史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-244350
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059908
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 基板上の酸化膜を高い選択比で良好にエッチングすることができ、酸化膜に垂直形状のビアホールを形成することができる酸化膜のエッチング方法を提供することを課題とする。【解決手段】 C5F8ガスとCOガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、COガスの流量を20〜90sccmにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。

請求項（抜粋）：

C5F8ガスとCOガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、COガスの流量を20〜90sccmにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A

Fターム (66件)：

5F004AA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH26 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK26 ,  5F033KK33 ,  5F033KK38 ,  5F033MM07 ,  5F033NN13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS27 ,  5F033WW00 ,  5F033WW06 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-085575   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-302329   出願人：日本電気株式会社
• 酸化膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140413   出願人：東京エレクトロン株式会社