酸化膜のエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140413
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330057
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】深い位置と浅い位置とに配線が存在する場合に、深い位置の配線まで酸化膜をエッチングすることができるとともに、浅い位置の配線の横の酸化膜がエッチングされることを防止することができる酸化膜のエッチング方法を提供すること。【解決手段】処理室内にC4F8ガスまたはC5F8ガスを含む処理ガスを導入し、処理ガスのプラズマを生成して、基板上に形成された酸化膜にエッチングによりホールを形成するにあたり、C4F8ガスまたはC5F8ガスの流量を1〜4SCCMとするか、C4F8ガスまたはC5F8ガスの分圧を0.07〜0.35mTorrとする。また、さらにおよびCOガスを含む処理ガスを導入し、C4F8ガスまたはC5F8ガスに対するCOガスの比を35〜200の範囲とする。

請求項（抜粋）：

処理室内にC4F8ガスまたはC5F8ガスを含む処理ガスを導入し、処理ガスのプラズマを生成して、基板上に形成された酸化膜にエッチングによりホールを形成するにあたり、C4F8ガスまたはC5F8ガスの流量を1〜4SCCMとすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

誘電層のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-112887 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-152521
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004197 出願人：株式会社東芝

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