特許
J-GLOBAL ID：200903084364876011

半導体の欠陥検査装置

発明者：
清田 久晴

清田 久晴 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237938
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064130
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 検出感度を低下させることなく半導体ウェハ全面について短時間で欠陥検査を行うことができるようにする。【解決手段】 ウェハ搬送装置12によって半導体ウェハ10を移動させている状態で、CCDラインセンサ27は複数のチップを同時に走査して複数のチップの画像情報を同時に取得する。CCDラインセンサ27の出力信号は、A/D変換部31によってA/D変換され、画像データとしてバッファメモリ32によって一時的に保持され、処理装置33が欠陥解析を行うときにバッファメモリ32から出力される。処理装置33は、バッファメモリ32から出力される各チップ毎の画像データを標準パターンと同時に比較して各チップにおける欠陥の有無を検査する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを搬送する搬送手段と、この搬送手段によって搬送される半導体ウェハにおける複数のチップの画像情報を同時に取得する撮像手段と、この撮像手段によって取得した複数のチップの画像情報を標準パターンと同時に比較して各チップにおける欠陥の有無を検査する画像処理手段とを備えたことを特徴とする半導体の欠陥検査装置。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/68
FI (2件)：
H01L 21/66 J ,  H01L 21/68 F
引用特許：
審査官引用 (8件)
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