純アルミニウム金属を用いてTFTLCDパネルにゲートラインおよびソースラインを作製する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051767
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252283
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】未処理ガラス基板を用い、表面誘電体層の堆積後のヒロック密度を十分低くしながら、低抵抗率を有する純アルミニウムからなる導体ラインをLCDガラスパネル上に設ける。【解決手段】液晶ディスプレイにアクティブ素子を形成する際に使用される、透明絶縁基板上に誘電層で覆われた導体を提供する方法が開示される。この方法は、基板上に導電性シートを形成する工程、導電性シート上にラインおよびコネクタを含む導体の形態のマスク領域を含むマスクパターンを形成する工程、イオンエッチングチャンバを用いて、マスクパターンによって保護されていない導電性シート材料の選択された領域を、チタンとアルミニウムの両方をエッチングするエッチングプロセスによってエッチングする工程、および最大プロセス温度が370°Cより低い蒸着プロセスを用いて、エッチング工程で形成された導電ライン上に誘電性材料を堆積する工程を包含する。

請求項（抜粋）：

液晶ディスプレイにアクティブ素子を形成する際に使用される、透明絶縁基板上に誘電層で覆われた導体を提供する方法であって、該基板上に導電性シートを形成する工程であって、該導電性シートは、該基板に最も近くに位置する概して50から500の範囲の厚さを有するチタン下地層と、該チタン層を覆う概して750から2000の範囲の厚さを有するアルミニウム層とを含む、工程と、該導電性シート上に、ラインおよびコネクタを含む導体の形態のマスク領域を含むマスクパターンを形成する工程であって、該マスク領域は、該導電性シート材料が次のエッチング工程中に除去されるのを防ぐ、工程と、イオンエッチングチャンバを用いて、該マスクパターンによって保護されていない該導電性シート材料の選択された領域を、チタンとアルミニウムの両方をエッチングするエッチングプロセスによってエッチングする工程であって、これにより、エッチング工程の後に残る該導電性シート材料は該基板上の導体を含む、工程と、最大プロセス温度が370°Cより低い蒸着プロセスを用いて、該エッチング工程で形成された該導電ライン上に誘電性材料を堆積する工程であって、これにより、該導体は誘電層で覆われ、液晶ディスプレイに、ソースおよびゲートラインを含む低抵抗率の信号ラインおよびコネクタを提供する、工程と、を包含する方法。

IPC (10件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/06 , C23C 14/34 , C23C 16/34 , C23C 16/44 , G02F 1/1343 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 29/786

FI (11件)：

H01L 21/88 R , C23C 14/06 N , C23C 14/34 M , C23C 16/34 , C23C 16/44 D , G02F 1/1343 , H01L 21/28 F , H01L 21/31 C , H01L 21/302 G , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 617 L

Fターム (111件)：

2H092HA06 , 2H092HA14 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092NA28 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 4K029AA09 , 4K029BA03 , 4K029BA17 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029EA01 , 4K029FA05 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA18 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030JA01 , 4K030LA18 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104GG20 , 4M104HH03 , 5F004AA02 , 5F004AA16 , 5F004BB13 , 5F004CB15 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004EA28 , 5F004EB02 , 5F004FA01 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033LL07 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ93 , 5F033RR06 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033XX16 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045CA15 , 5F045CB10 , 5F045EE12 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜構造のメタル層におけるヒロック阻止用双対絶縁キャッピング層
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-095232 出願人：ゼロックスコーポレイション
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-249583 出願人：株式会社日立製作所
配線の接続構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-086577 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Structure engineering for hillock-free pure aluminum sputter deposition for gate and source line fab

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