特許
J-GLOBAL ID：200903003680067133
配線の接続構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086577
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297380
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 下地半導体上のTi系積層膜上にAl系材料等から成る配線層を備える配線構造について、最終的に形成するシリサイド層の膜厚制御性が良好で、バリア性が高く、上層配線の結晶配線の良い構造及びその製造方法を提供する。【構成】 ?@Al等の配線層10とSi等の半導体とを電気的に接続する配線の接続構造で、配線層の側から、TiN(200)15/Ti(110)14/シリサイド12又はTi(002)/TiN(111)/Ti(002)/Ti(111)/シリサイド又はTi(002)/TiN(111)/TiN(200)/Ti(111)/シリサイドとする。?A各層の成膜中にターゲット側のスパッタパワーか基板表面側のバイアスを急峻に変化させ、又は各層の成膜中にAr流量を急峻に変化させて成膜して結晶成長を制御する?@の製造方法。
請求項（抜粋）：
配線層と半導体とを電気的に接続する配線の接続構造において、配線層の側から、少なくともチタンナイトライド/チタン/チタンシリサイドの配線構造を備えるとともに、該チタンナイトライド及びチタンの結晶方位が、同じく配線層の側からチタンナイトライド(200)/チタン(110)であることを特徴とする配線の接続構造。
IPC (3件)：
H01L 29/43
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 29/46 T
, H01L 21/88 R
, H01L 21/90 D
