特許
J-GLOBAL ID:200903084393581047
プローブカード
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-055019
公開番号(公開出願番号):特開2002-257895
出願日: 2001年02月28日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 長期間使用しても、内部のスルーホール等に腐食が生じず、常温、高温での機械的強度に優れ、高温においてもプローブとの接触不良や反り、変形等が生じず、温度マッチングが速いプローブカードを提供すること。【解決手段】 半導体ウエハに形成された集積回路の検査に用いられるプローブカードであって、非酸化物セラミック製のセラミック基板からなり、上記セラミック基板は、ヘリウムリークディテクタによる測定で10-7Pa・m3 /sec(He)以下のリーク量であることを特徴とするプローブカード。
請求項(抜粋):
半導体ウエハに形成された集積回路の検査に用いられるプローブカードであって、非酸化物セラミック製のセラミック基板からなり、前記セラミック基板は、ヘリウムリークディテクタによる測定で、10-7Pa・m3 /sec(He)以下のリーク量であることを特徴とするプローブカード。
IPC (3件):
G01R 31/26
, G01R 1/073
, H01L 21/66
FI (3件):
G01R 31/26 J
, G01R 1/073 E
, H01L 21/66 B
Fターム (19件):
2G003AA10
, 2G003AC03
, 2G003AC04
, 2G003AD01
, 2G003AG12
, 2G003AG16
, 2G003AG20
, 2G003AH05
, 2G003AH07
, 2G011AA09
, 2G011AA10
, 2G011AA17
, 2G011AB06
, 2G011AC21
, 2G011AE03
, 2G011AF04
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD01
引用特許: