特許
J-GLOBAL ID:200903084393581047

プローブカード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-055019
公開番号(公開出願番号):特開2002-257895
出願日: 2001年02月28日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 長期間使用しても、内部のスルーホール等に腐食が生じず、常温、高温での機械的強度に優れ、高温においてもプローブとの接触不良や反り、変形等が生じず、温度マッチングが速いプローブカードを提供すること。【解決手段】 半導体ウエハに形成された集積回路の検査に用いられるプローブカードであって、非酸化物セラミック製のセラミック基板からなり、上記セラミック基板は、ヘリウムリークディテクタによる測定で10-7Pa・m3 /sec(He)以下のリーク量であることを特徴とするプローブカード。
請求項(抜粋):
半導体ウエハに形成された集積回路の検査に用いられるプローブカードであって、非酸化物セラミック製のセラミック基板からなり、前記セラミック基板は、ヘリウムリークディテクタによる測定で、10-7Pa・m3 /sec(He)以下のリーク量であることを特徴とするプローブカード。
IPC (3件):
G01R 31/26 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G01R 31/26 J ,  G01R 1/073 E ,  H01L 21/66 B
Fターム (19件):
2G003AA10 ,  2G003AC03 ,  2G003AC04 ,  2G003AD01 ,  2G003AG12 ,  2G003AG16 ,  2G003AG20 ,  2G003AH05 ,  2G003AH07 ,  2G011AA09 ,  2G011AA10 ,  2G011AA17 ,  2G011AB06 ,  2G011AC21 ,  2G011AE03 ,  2G011AF04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106DD01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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