不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351629
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189920
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】しきい値のばらつきを抑え、ソフトライト(誤書き込み)を防止することにより信頼性を向上させ、高集積化を可能とする不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】チャネル表面に基板とは逆の導電型の浅い不純物拡散層27を形成し、その不純物拡散層27の不純物濃度と拡散層深さを、フローティングゲート11及び制御ゲート13にしきい値電圧を印加して読み出しを行なう場合にトンネル絶縁膜に加わる電界が最小となるように設定する。

請求項（抜粋）：

電気的に絶縁された浮遊電極に電荷を注入することで情報の保持を行なう不揮発性半導体記憶装置において、第1導電型の半導体層と、該半導体層の表面の一部に形成された第2導電型の高不純物濃度の第1の半導体領域及び第2の半導体領域と、該第1の半導体領域及び第2の半導体領域の間に、前記第1の半導体領域及び第2の半導体領域それぞれに接して形成された第2導電型の第3の半導体領域と、該第3の半導体領域の上部及び前記第1の半導体領域、第2の半導体領域の少なくとも一部の上部と前記浮遊電極の下部との間に形成された絶縁膜とを少なくとも具備し、読み出し時に前記絶縁膜に加わる電界の強さを前記第3の半導体領域の不純物濃度及び深さにより設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , G11C 16/04 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 621 A , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-118974
半導体不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258711 出願人：ソニー株式会社
特開昭58-225672

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