特許

J-GLOBAL ID：200903084710870408

薄膜コンデンサ素子及びプリント回路基板

発明者： 藤沢 晃 ,  高野 昭仁 ,  佐々木 正行
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110675
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 信頼性及び歩留りの低下、リーク電流の増大、Ta薄膜の剥離等を伴わないTa系薄膜コンデンサ素子を提供すること。【解決手段】 銅配線層と、その上に形成されたタンタルの陽極酸化物からなる誘電体層とを有する薄膜コンデンサ素子において、配線層と誘電体層との間に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム、ハフニウムもしくはシリコン又はその窒化物からなるバリア層が配置されているように構成する。

請求項（抜粋）：

銅系低抵抗金属からなる基板又は配線層と、その上に形成されたタンタル系金属の陽極酸化物からなる誘電体層とを有する薄膜コンデンサ素子において、前記基板又は配線層と前記誘電体層との間に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム、ハフニウム及びシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種類のバルブ金属、該バルブ金属の化合物、該バルブ金属化合物どうしもしくは該バルブ金属化合物と前記バルブ金属の混合物又は前記バルブ金属の合金からなるバリア層が配置されていることを特徴とする薄膜コンデンサ素子。

IPC (4件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/01 311 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H01L 27/01 311 ,  H05K 1/09 C ,  H05K 1/09 B ,  H05K 3/46 Q ,  H01G 4/06 102

Fターム (38件)：

4E351BB03 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB32 ,  4E351BB36 ,  4E351CC03 ,  4E351CC29 ,  4E351DD04 ,  4E351DD31 ,  4E351GG01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082BC32 ,  5E082BC38 ,  5E082EE03 ,  5E082EE18 ,  5E082EE19 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG44 ,  5E082KK01 ,  5E346AA11 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA33 ,  5E346BB01 ,  5E346BB20 ,  5E346CC21 ,  5E346CC31 ,  5E346DD07 ,  5E346EE31 ,  5E346FF45 ,  5E346GG01 ,  5E346GG40 ,  5E346HH11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337226   出願人：ソニー株式会社
• 酸化タンタル製薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043609   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 薄膜型キャパシタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-272062   出願人：富士通株式会社