特許
J-GLOBAL ID：200903084765588817
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297186
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は銅配線層や銅電極を有する半導体装置の製造方法に関し、平坦化を維持しつつ、銅電極/配線層の周囲のシリコン層や酸化膜との反応を防止し、かつ研磨により生じた銅電極/配線層表面の荒れやダメージが悪影響を与えないようにする。【構成】 基板11上に絶縁膜12を形成する工程と、絶縁膜12を選択的にエッチングして溝13を形成する工程と、高融点金属又は高融点金属の窒化物からなる介在膜を形成して溝13を被覆する工程と、介在膜の上に銅膜を形成する工程と、溝13の上部の銅膜と溝13の外の銅膜及び介在膜とを除去し、銅膜15aと介在膜14aを溝13内に残す工程と、銅膜15aの表層に金属粒子を導入する工程と、窒素を含むガスに銅膜15aを曝し、金属粒子と窒素を反応させて銅膜15aの表層に金属窒化物17aを形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を選択的にエッチングして溝を形成する工程と、高融点金属又は高融点金属の窒化物からなる介在膜を形成して前記溝を被覆する工程と、前記介在膜の上に銅膜を形成する工程と、前記溝の上部の前記銅膜と前記溝の外の前記銅膜及び前記介在膜とを除去し、前記銅膜と前記介在膜を前記溝内に残す工程と、前記銅膜の表層に金属粒子を導入する工程と、窒素を含むガスに前記銅膜を曝し、前記金属粒子と前記窒素を反応させて前記銅膜の表層に金属窒化物を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 M
