特許
J-GLOBAL ID：200903084767316237
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353057
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186509
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】GaN系半導体装置において、発光効率を向上させる。【解決手段】基板10上に順次n-SLS層20、活性層22、p-ブロック層24、p-SLS層26を積層する。活性層22としてAlGaNバリア層/InGaN井戸層/AlGaNバリア層を用い、バリア層のAl組成の差を3%以下にしてバリアを対称とする。また、バリア層のAl組成を5%以上、好ましくは10%以上とする。バリアを対称とすることで低注入電流時の発光効率を向上させ、Al組成を所定値以上とすることで高注入電流時の発光効率を向上させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化ガリウム系活性層を有する窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、
前記窒化ガリウム系活性層は、
第1のAlxGa1-xNバリア層と、
前記第1のAlxGa1-xNバリア層上に形成されたInyGa1-yN井戸層と、
前記InyGa1-yN井戸層上に形成された第2のAlzGa1-zNバリア層と、
を有し、
前記組成比xと組成比zの差|x-z|は3%以下に設定されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
