特許

J-GLOBAL ID：200903003088154368

半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置

発明者： 辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  鈴木 政勝 ,  判 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373224
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261106
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。【解決手段】 多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、障壁層と該障壁層よりも狭い禁制帯幅を持つ井戸層とが交互に積層されてなる量子井戸層を備え、前記井戸層はインジウム及び窒素を含み、前記障壁層はアルミニウム及び窒素を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045233   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050774   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006679   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215147   出願人：富士通株式会社
• 窒化ガリウム系半導体光発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213412   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272321   出願人：株式会社日立製作所